Региональный центр нанотехнологий

Модель и назначение

JEOL JSM-6610 - компактный многоцелевой РЭМ с предельной простотой управления и высоким качеством оптики. Данный микроскоп создан для удовлетворения запросов как самых взыскательных исследователей, так и инженеров, использующих сканирующий электронный микроскоп в качестве средства контроля. Все возможности инструмента доступны даже начинающим пользователям. Интуитивно понятный интерфейс. Все операции по управлению микроскопом могут выполняться с помощью мышки и дополнительного выносного пульта. Многопользовательская система. С помощью новой системы сканирования можно работать на очень малых увеличениях. Электронная пушка полностью автоматизирована. При изменении ускоряющего напряжения не требуется каких-либо дополнительных настроек. Благодаря уникальной конденсорной линзе с переменным фокусным расстоянием, разработанной фирмой JEOL, фокусировка и положение поля зрения даже на очень больших увеличениях поддерживаются неизменным.
Низковакуумная модель РЭМ JSM-6610LV имеет, в дополнение к обычному, высоковауумному, низковакуумный режим работы. В таком режиме можно изучать непроводящие образцы безо всякого препарирования, а затем проанализировать их с помощью энергодисперсионного спектрометра.
Эвцентрический столик образца не меняет поле зрения (точку интереса) и фокусировку при вращении и наклоне образца. Столик предназначен для наблюдения особенностей строения поверхности образцов, в том числе, под разными углами. Вы можете измерять все три измерения, и глубину, в том числе, образца и строить трехмерные изображения, путём получения серий стереоизображений. Качество стереоизображений напрямую зависит от того, насколько точно сохраняется исходное положение образца при его вращении и наклоне.
Использование энергодисперсионного рентгеновского спектрометра (EDS) обеспечивает мгновенный элементный анализ поверхности образца с точностью 0.1 %. Энергетический спектр эмитированного рентгеновского излучения дает количественный элементный состав.

Принцип работы

Раздел не заполнен

Методики

• Определение морфологии в режиме топографического контраста вторичных электронов;
• Определение морфологии в режиме топографического контраста отраженных электронов;
• Определение морфологии в режиме композиционного контраста отраженных электронов;
• Определение морфологии в режиме теневого контраста отраженных электронов;
• Стереоскопическое изображение, 3D;
• Измерение расстояний между микро- и нано-объектами;
• Определение морфологии при помощи напыляющего устройства;
• Элементный анализ произвольной области, с «точки»;
• Элементный анализ прямоугольной или круглой области;
• Профиль – содержание элементов вдоль прямой;
• Картирование – пространственное распределение элементов;

Основные характеристики

• Пространственное разрешение 3 нм (30 kV, HV);
• Ускоряющее напряжение от 0,3кВ до 30 кВ;
• Диапазон увеличений от х5 до х300 000;
• Максимальный размер образца 200 мм, 1000г;
• Режимы работы Высокий вакуум (HV), низкий вакуум (LV);
• Виды изображений вторичные электроны: топографический контраст; отражённые электроны: композиционный, топографический, теневой контрасты.;
• Катод Термоэлектронная эмиссия, W ;
• Столик образцов эвцентрический моторизация до 5 осей с компьютерным управлением диапазон перемещений: Х – 125 мм, Y – 100 мм, Z – от 5 до 80 мм. наклон: от -10 до +90 градусов, вращение 360 градусов.;
• Опции Энергодисперсионный анализатор (X-Max Silicon Drift Detector 150mm2), комплекс для напыления на препараты токопроводящих пленок (Pt) JEOL JFC-1600 Auto Fine Coater.;

Требования к образцам

Раздел не заполнен

Полученные в РЦН изображения

Раздел не заполнен